1.電壓型全控器件P≤MOSF：正連續(xù)柵電壓控制，負(fù)持續(xù)柵壓控制和隔離;開關(guān)頻率高;單極，開關(guān)頻率高，負(fù)連續(xù)柵電壓控制。
2.電壓型全控裝置IBGT：正連續(xù)柵電壓控制接通，負(fù)持續(xù)柵極電壓控制和隔離，開關(guān)頻率高，雙極;
3.電壓型全控器件MCT：正脈沖電壓控制接通，負(fù)脈沖電壓控制關(guān)閉，開關(guān)頻率高(低于IGBT)，雙極開關(guān)，負(fù)脈沖電壓控制關(guān)閉。
4.電壓型全控裝置：連續(xù)電壓控制開關(guān);高開關(guān)頻率;單極;
5.電流模式全控裝置BJT：正連續(xù)基波電流控制開啟，基極電流在基極電流為0時被關(guān)閉，開關(guān)頻率適中，雙極電流被打開，基極電流在基極電流為0時被關(guān)閉。
6.電流模式半控器件可控硅：脈沖柵電流控制接通，觸發(fā)信號不能控制開關(guān)，開關(guān)頻率低，雙極;
7.電流模式全控裝置GTO：正脈沖柵電流控制開關(guān)，負(fù)脈沖門電流(較大)控制關(guān)閉，開關(guān)頻率低，雙極;
2.電壓型全控裝置IBGT：正連續(xù)柵電壓控制接通，負(fù)持續(xù)柵極電壓控制和隔離，開關(guān)頻率高，雙極;
3.電壓型全控器件MCT：正脈沖電壓控制接通，負(fù)脈沖電壓控制關(guān)閉，開關(guān)頻率高(低于IGBT)，雙極開關(guān)，負(fù)脈沖電壓控制關(guān)閉。
4.電壓型全控裝置：連續(xù)電壓控制開關(guān);高開關(guān)頻率;單極;
5.電流模式全控裝置BJT：正連續(xù)基波電流控制開啟，基極電流在基極電流為0時被關(guān)閉，開關(guān)頻率適中，雙極電流被打開，基極電流在基極電流為0時被關(guān)閉。
6.電流模式半控器件可控硅：脈沖柵電流控制接通，觸發(fā)信號不能控制開關(guān)，開關(guān)頻率低，雙極;
7.電流模式全控裝置GTO：正脈沖柵電流控制開關(guān)，負(fù)脈沖門電流(較大)控制關(guān)閉，開關(guān)頻率低，雙極;
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